國研院儀科中心徵求學習型博士研究生參與中心公務預算研究計畫,約用訊息公告。
歡迎有意願參與本中心公務計畫之在學博士生報名,請下載附件表單,並於113年03月18日前填妥申請表後以E-mail回覆聯絡窗口。
申請表單下載
真空儀器與檢校技術組
- 學習內容:先進半導體複合式二維材料(例如SnSex/PtSex)感測元件製備與材料分析
- 約用期間:113年04月01日至113年12月31日
- 約用人數:1人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:博士生 8,000 元/月
- 收件截止日:113年03月18日,以E-mail寄送日期為憑
-
申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:戴小姐 Tel:03-5779911-531 E-mail:kate@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生
真空儀器與檢校技術組
- 學習內容:先進半導體複合式二維材料(例如SnSex/PtSex)感測元件製備與材料分析
- 約用期間:113年04月01日至113年12月31日
- 約用人數:1人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:博士生 6,000 元/月
- 收件截止日:113年03月18日,以E-mail寄送日期為憑
-
申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:戴小姐 Tel:03-5779911-531 E-mail:kate@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生
先進材料製程與設備組
- 學習內容:學習ALD設備操作與製程調整
- 約用期間:113年03月11日至113年12月31日
- 約用人數:1人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:博士生 9,000 元/月
- 收件截止日:113年03月03日,以E-mail寄送日期為憑
-
申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:戴小姐 Tel:03-5779911-531 E-mail:kate@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生
智慧光學檢測儀器發展組
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學習內容:
1.相關文獻整理並協助系所研究資源整合
2.學習適用於3D光場影像之AI光學檢測技術與軟體模組的開發流程
3.學習3D光場成像系統於半導體先進封裝製程等應用的評估方法 - 約用期間:113年02月01日至113年12月31日
- 約用人數:1人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:博士生 10,000 元/月
- 收件截止日:113年01月18日,以E-mail寄送日期為憑
-
申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:楊小姐 Tel:03-5779911-301 E-mail:vickyyang@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生
智慧鍍膜設備發展組
- 學習內容:光學薄膜、真空鍍膜技術、薄膜量測技術。
- 約用期間:113年01月01日至113年12月31日
- 約用人數:1人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:博士生 12,000 元/月
- 收件截止日:113年01月15日,以E-mail寄送日期為憑
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申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:楊小姐 Tel:03-5779911-301 E-mail:vickyyang@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生
真空儀器與檢校技術組
- 學習內容:光學設計與模擬、極紫外光微影技術、電子束、離子束直寫微影設備操作及製程設計、干涉式極紫外光微影設備原理、實驗腔體製作與組裝與國內外文獻彙整。
- 約用期間:113年01月01日至113年12月31日
- 約用人數:1人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:博士生 10,000 元/月
- 收件截止日:113年01月15日,以E-mail寄送日期為憑
-
申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:楊小姐 Tel:03-5779911-301 E-mail:vickyyang@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生
真空儀器與檢校技術組
- 學習內容:利用可拍攝4D-STEM之高解析掃描穿透式電子顯微鏡,研究新世代半導體材料之結構及分析。
- 約用期間:113年01月01日至113年12月31日
- 約用人數:2人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:博士生 10,000 元/月
- 收件截止日:113年01月15日,以E-mail寄送日期為憑
-
申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:楊小姐 Tel:03-5779911-301 E-mail:vickyyang@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生
國研院儀科中心徵求學習型碩士研究生參與中心公務預算研究計畫,約用訊息公告。
歡迎有意願參與本中心公務計畫之在學碩士生報名,請下載附件表單,並於113年04月28日前填妥申請表後以E-mail回覆聯絡窗口。
申請表單下載
智慧光學檢測儀器發展組
-
學習內容:
學習適用於3D光場影像之AI光學檢測技術與軟體模組的開發流程
學習3D光場成像系統於半導體先進封裝製程等應用的評估方法 - 約用期間:113年05月01日至113年12月31日
- 約用人數:1人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:碩士生 6,000 元/月
- 收件截止日:113年04月28日,以E-mail寄送日期為憑
-
申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:戴小姐 Tel:03-5779911-531 E-mail:kate@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生
真空儀器與檢校技術組
- 學習內容:先進半導體複合式二維材料(例如SnSex/PtSex)感測元件製備與材料分析
- 約用期間:113年04月01日至113年08月31日
- 約用人數:1人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:碩士生 6,000 元/月
- 收件截止日:113年03月18日,以E-mail寄送日期為憑
-
申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:戴小姐 Tel:03-5779911-531 E-mail:kate@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生
先進材料製程與設備組
- 學習內容:ALD鍍膜系統設備操作
- 約用期間:113年02月01日至113年12月31日
- 約用人數:1人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:碩士生 6,545 元/月
- 收件截止日:113年01月23日,以E-mail寄送日期為憑
-
申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:楊小姐 Tel:03-5779911-301 E-mail:vickyyang@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生
智慧光學檢測儀器發展組
-
學習內容:
1.相關文獻整理並協助系所研究資源整合
2.協助開發適用於3D光場影像之AI光學檢測技術與軟體模組
3.協助評估3D光場成像系統於半導體先進封裝製程等應用 - 約用期間:113年02月01日至113年12月31日
- 約用人數:1人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:碩士生 6,000 元/月
- 收件截止日:113年01月18日,以E-mail寄送日期為憑
-
申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:楊小姐 Tel:03-5779911-301 E-mail:vickyyang@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生
智慧鍍膜設備發展組
- 學習內容:二維材料成長分析,學習真空鍍膜技術相關、半導體技術開發。
- 約用期間:113年01月01日至113年12月31日
- 約用人數:2人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:碩士生 6,000 元/月
- 收件截止日:113年01月15日,以E-mail寄送日期為憑
-
申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:楊小姐 Tel:03-5779911-301 E-mail:vickyyang@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生
智慧鍍膜設備發展組
- 學習內容:二維材料成長分析,學習真空鍍膜技術相關、半導體技術開發。
- 約用期間:113年01月01日至113年07月31日
- 約用人數:2人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:碩士生 6,000 元/月
- 收件截止日:113年01月15日,以E-mail寄送日期為憑
-
申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:楊小姐 Tel:03-5779911-301 E-mail:vickyyang@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生
感測與光譜影像技術發展組
- 學習內容:協助建置AI技術演練及驗證協作平台相關實驗與論文發表。
- 約用期間:113年01月01日至113年12月31日
- 約用人數:2人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:碩士生 6,000 元/月
- 收件截止日:113年01月15日,以E-mail寄送日期為憑
-
申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:楊小姐 Tel:03-5779911-301 E-mail:vickyyang@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生
真空儀器與檢校技術組
- 學習內容:光學設計與模擬、極紫外光微影技術、電子束、離子束直寫微影設備操作及製程設計、干涉式極紫外光微影設備原理、實驗腔體製作與組裝與國內外文獻彙整。
- 約用期間:113年01月01日至113年12月31日
- 約用人數:1人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:碩士生 8,000 元/月
- 收件截止日:113年01月15日,以E-mail寄送日期為憑
-
申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:楊小姐 Tel:03-5779911-301 E-mail:vickyyang@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生
真空儀器與檢校技術組
- (外籍生)
-
學習內容:
(1) in-situ plasma treatment parameters,
(2) wafer bindings for Si/SiO2 bond to SiO2/GaN
(3) Si bonding to SiC
(4) SiC bond to SiC - 約用期間:113年01月01日至113年12月31日
- 約用人數:1人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:碩士生 6,000 元/月
- 收件截止日:113年01月15日,以E-mail寄送日期為憑
-
申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:楊小姐 Tel:03-5779911-301 E-mail:vickyyang@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生
真空儀器與檢校技術組
- 學習內容:以顯微結構分析技術釐清前瞻汽車6000系列鈑金析出強化動力學。
- 約用期間:113年01月01日至113年12月31日
- 約用人數:1人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:碩士生 6,000 元/月
- 收件截止日:113年01月15日,以E-mail寄送日期為憑
-
申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:楊小姐 Tel:03-5779911-301 E-mail:vickyyang@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生
真空儀器與檢校技術組
- 學習內容:提升薄膜化合反應性之濺鍍系統設計與研究。
- 約用期間:113年01月01日至113年12月31日
- 約用人數:1人
- 約用地點:儀科中心(新竹市科學園區研發六路20號)
- 獎助津貼:碩士生 8,000 元/月
- 收件截止日:113年01月15日,以E-mail寄送日期為憑
-
申請所需相關文件:
1.公務計畫(學習型)研究生申請表
2.蓋有註冊章學生證正反面或在學證明 - 聯絡窗口:楊小姐 Tel:03-5779911-301 E-mail:vickyyang@narlabs.org.tw
- e-mail主旨:申請儀科中心研究生