實驗室空間與提供服務

為促進產學研界ALD設備製程與前驅物研發能力,提升國內半導體產學界競爭優勢,本中心所成立 ALD 聯合實驗室規劃如圖一所示,圖二為可提供服務之ALD系統型式,並提供多種 ALD 薄膜製程與新穎前驅物驗證服務(規格如表一所示)。X射線光電子能譜儀 (XPS)亦提供薄膜成分即時分析服務,規範如下:

  1. 1. XPS模組與六吋叢集式系統結合,並於真空環境下進行樣品傳遞,其設備規格為:
    X ray source: SPECS XR 50 (spot size~ 10mm*10mm);
    Analyzer: Omicron EA125.
  2. 2. 送件樣品面積需大於25mm*25mm,且不得具有強磁性、揮發性、毒性及輻射性。若致設備汙染或損壞,由該申請人支付相關維修費用。
  3. 3. 送件樣品若無法於30分鐘內以降至所需真空度(5x10^-6 torr)以下,則取消該次實驗且就已操作的時間收取費用。
  4. 4. 本實驗室依報價單所列條件進行XPS取圖,並提供原始數據檔案(.spe/ .txt)與元素成分比例結案報告後即完成該次服務,不負責數據分析研判之工作。
  5. 5. 結案報告交期為收到報價回簽單並取得樣品後約10個工作天,如遇設備故障則交期另議或取消訂單。
  6. 6. 送件樣品請於檢測完3天內取回,逾期則視廢棄物處理,不另行通知。

表一、ALD系統規格

ALD系統 基板尺寸 基板溫度 提供材料
Test bed ALD系統 1吋 350 ℃ Al2O3、TiO2、HfO2、Zn(O,S)、Ta2O5、In2O3、SnO2、TaNx
研究型ALD系統 8吋 350 ℃ Al2O3、TiO2、HfO2
On-site ALD系統 12吋 350 ℃ Al2O3


儀科中心一樓平面圖

圖一、儀科中心一樓平面圖



ALD聯合實驗室提供服務之ALD系統型式。

圖二、ALD聯合實驗室提供服務之ALD系統型式