實驗室空間與提供服務
為促進產學研界ALD設備製程與前驅物研發能力,提升國內半導體產學界競爭優勢,本中心所成立 ALD 聯合實驗室規劃如圖一所示,圖二為可提供服務之ALD系統型式,並提供多種 ALD 薄膜製程與新穎前驅物驗證服務(規格如表一所示)。X射線光電子能譜儀 (XPS)亦提供薄膜成分即時分析服務,規範如下:
- 1. XPS模組與六吋叢集式系統結合,並於真空環境下進行樣品傳遞,其設備規格為: X ray source: SPECS XR 50 (spot size~ 10mm*10mm); Analyzer: Omicron EA125.
- 2. 送件樣品面積需大於25mm*25mm,且不得具有強磁性、揮發性、毒性及輻射性。若致設備汙染或損壞,由該申請人支付相關維修費用。
- 3. 送件樣品若無法於30分鐘內以降至所需真空度(5x10^-6 torr)以下,則取消該次實驗且就已操作的時間收取費用。
- 4. 本實驗室依報價單所列條件進行XPS取圖,並提供原始數據檔案(.spe/ .txt)與元素成分比例結案報告後即完成該次服務,不負責數據分析研判之工作。
- 5. 結案報告交期為收到報價回簽單並取得樣品後約10個工作天,如遇設備故障則交期另議或取消訂單。
- 6. 送件樣品請於檢測完3天內取回,逾期則視廢棄物處理,不另行通知。
表一、ALD系統規格
ALD系統 | 基板尺寸 | 基板溫度 | 提供材料 |
---|---|---|---|
Test bed ALD系統 | 1吋 | 350 ℃ | Al2O3、TiO2、HfO2、Zn(O,S)、Ta2O5、In2O3、SnO2、TaNx |
研究型ALD系統 | 8吋 | 350 ℃ | Al2O3、TiO2、HfO2 |
On-site ALD系統 | 12吋 | 350 ℃ | Al2O3 |